【半导体】之十七—IGBT的投资机会 一. IGBT简介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管) 是...

【半导体】之十七—IGBT的投资机会 一. IGBT简介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管) 是...

来源:雪球App,作者: 未名湖价投深研,(https://xueqiu.com/1503639356/333238857)

一. IGBT简介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管) 是一种复合全控型功率半导体器件,结合了 MOSFET(高输入阻抗、快速开关) 和 BJT(大电流、低导通损耗) 的优点,广泛应用于高电压、大电流的电力电子领域。

核心特点高耐压(600V~6500V,甚至更高)

大电流承载能力(适用于高功率场景)

低导通损耗(比MOSFET更适合高压应用)

快速开关(适用于高频电路)

主要应用领域

二. IGBT发展前景(1)核心驱动因素✅ 新能源汽车爆发:IGBT占电动车电驱系统成本的 ~10%,全球电动车渗透率提升直接拉动需求。✅ 风光储高景气:光伏逆变器、储能PCS对IGBT需求旺盛,尤其 SiC+IGBT混合方案 成为趋势。✅ 国产替代加速:国内厂商技术突破,逐步替代 英飞凌、富士电机 等海外巨头。✅ 第三代半导体融合:SiC(碳化硅) 在高压领域替代部分IGBT,但中低压市场IGBT仍占主导。

(2)技术趋势模块化:IPM(智能功率模块)占比提升(如车规级IGBT模块)。

高密度封装:如 HybridPACK™(英飞凌)、XTMI™(比亚迪半导体) 等先进封装技术。

SiC+IGBT混合应用:光伏、超充桩等领域采用 SiC MOSFET(高压)+ IGBT(中压) 组合方案。

三. IGBT产业链及相关公司1、产业链结构上游(材料/设备)→ 中游(设计/制造/封测)→ 下游(应用)

2、国内主要IGBT公司

总结IGBT是新能源革命的核心器件,国产替代+行业高景气 双轮驱动,个人重点关注 车规、光伏储能 相关标的,同时关注 SiC对IGBT的替代(高压领域受影响,但中低压IGBT仍主流)。

车规级:斯达半导(技术领先+客户优质)、比亚迪半导体(自供保障)。

高压/工控:时代电气(轨交+新能源高压IGBT)、士兰微(IDM产能优势,消费级回暖)。

光伏IGBT:宏微科技(供货阳光电源)、新洁能(性价比路线)。

SiC融合:华润微(长期技术储备)。

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